特許
J-GLOBAL ID:201403068887416507

半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  鈴木 光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-283153
公開番号(公開出願番号):特開2014-127583
出願日: 2012年12月26日
公開日(公表日): 2014年07月07日
要約:
【課題】羽根部の領域を大きくすることによってインダクタンスのさらなる低減を図ることが可能な半導体モジュールを提供すること。【解決手段】エミッタ電極11及びコレクタ電極12と、エミッタ電極11に接続されたエミッタバスバ13と、コレクタ電極12に接続されたコレクタバスバ14と、エミッタ電極11に接続された第1の羽根部15と、コレクタ電極12に接続された第2の羽根部16と、を備え、エミッタバスバ13は、第2の羽根部16と重なる領域を有しており、コレクタバスバ14は、第1の羽根部15と重なる領域を有しており、エミッタバスバ13と第1の羽根部15との間には、隙間部17が形成されており、コレクタバスバ14と第2の羽根部16との間には、第2の隙間部18が形成されている、半導体モジュール1を提供する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の方向に積層された第1及び第2の電極と、 前記第1及び第2の電極間に配置され、当該第1及び第2の電極に電気的に接続された半導体素子と、 前記第1の電極に接続され、前記第1の方向と交差する第2の方向に張り出す第1のバスバと、 前記第2の電極に接続され、前記第2の方向に張り出す第2のバスバと、 前記第1の電極に接続され、前記第1及び第2の方向と交差する第3の方向において前記第1のバスバと隣りあうようにして前記第2の方向に張り出す第1の羽根部と、 前記第2の電極に接続され、前記第3の方向において前記第2のバスバと隣りあうようにして前記第2の方向に張り出す第2の羽根部と、を備え、 前記第1のバスバは、前記第1の方向から見た場合に、前記第2の羽根部と重なる領域を有しており、 前記第2のバスバは、前記第1の方向から見た場合に、前記第1の羽根部と重なる領域を有しており、 前記第3の方向において隣りあう前記第1のバスバと前記第1の羽根部との間には、第1の隙間部が形成されており、 前記第3の方向において隣りあう前記第2のバスバと前記第2の羽根部との間には、第2の隙間部が形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
出願人引用 (6件)
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