特許
J-GLOBAL ID:201403068991786804
N-ヘテロ環状カルベン類、N-ヘテロ環状カルベン配位子を有する金属錯体類、及びランタノイド化合物を用いてシラン及びシクロシランをポリマー化する方法、及び、これにより形成されるインク組成物、並びに半導体フィルムを形成する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
龍華国際特許業務法人
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-522805
公開番号(公開出願番号):特表2014-529560
出願日: 2011年08月01日
公開日(公表日): 2014年11月13日
要約:
一般式SinH2n及びSinH2n+2のものを含むシラン(及び任意でシクロシラン)化合物、並びにハロシラン及びアリールシランの制御されたポリマー化及び/又はオリゴマー化に関する組成物及び方法であって、低レベルの炭素及び金属汚染、高分子量、低揮発性、高純度、高溶解性、及び/又は高粘度を有する溶解性のポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンを生成する。ポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンは、シリコン及び/又はゲルマニウムを含有する導電性フィルム、半導体フィルム、及び誘電性フィルムに対する有用な前駆体である。【選択図】図3
請求項(抜粋):
a)(i)式AnHjRkで表される1つ以上のシラン化合物と、(ii)N-ヘテロ環状カルベン類、N-ヘテロ環状シリレン類、N-ヘテロ環状ゲルミレン類、N-ヘテロ環状カルベン-金属錯体類、N-ヘテロ環状シリレン-金属錯体類、N-ヘテロ環状ゲルミレン-金属錯体類、ランタノイド金属触媒、及び、これらの支持された形態から成る群から選択される触媒とを混合させ、オリゴシラン又はポリシランを形成する段階と、
b)前記オリゴシラン又は前記ポリシランから前記触媒を除去する段階と、
を備え、
式中、それぞれのAは独立にSi又はGeであり、nは少なくとも1である整数であり、jは少なくとも2である整数であり、nが奇数の場合j+kはn+1から2n+2までの整数であり、nが偶数の場合j+kはnから2n+2までの整数であり、それぞれのRは独立にアリール基、ハロゲン原子、又は擬ハロゲン化物である、
オリゴシラン又はポリシランを形成する方法。
IPC (4件):
C01B 33/04
, C08G 77/00
, C09D 11/00
, C08G 79/00
FI (4件):
C01B33/04
, C08G77/00
, C09D11/00
, C08G79/00
Fターム (50件):
4G072AA05
, 4G072BB20
, 4G072EE10
, 4G072FF09
, 4G072GG03
, 4G072HH03
, 4G072HH07
, 4G072HH19
, 4G072JJ42
, 4G072JJ45
, 4G072KK01
, 4G072KK09
, 4G072LL15
, 4G072MM01
, 4G072MM03
, 4G072MM23
, 4G072MM33
, 4G072MM40
, 4G072RR12
, 4G072TT30
, 4G072UU01
, 4J030CC15
, 4J030CC16
, 4J030CD11
, 4J030CE02
, 4J030CE11
, 4J030CF09
, 4J030CG03
, 4J039AE11
, 4J039BC02
, 4J039BC49
, 4J039BE12
, 4J039CA02
, 4J039EA24
, 4J039GA02
, 4J246AA06
, 4J246BB450
, 4J246BB460
, 4J246CA01X
, 4J246CA010
, 4J246CA030
, 4J246CA390
, 4J246FA041
, 4J246FD01
, 4J246GA01
, 4J246GB04
, 4J246GC51
, 4J246GC54
, 4J246HA61
, 4J246HA66
引用特許: