バイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素を製造するための半導体光触媒及びその製造と応用

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-536984
公開番号（公開出願番号）：特表2014-500788
出願日： 2011年11月04日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：

バイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素を製造する半導体光触媒およびその製造と応用において、前記半導体光触媒の原子組成比がM〜N-Axであり、ただし、M〜NがII族の元素-VI族の元素であり、又はM〜NがIII族の元素-V族の元素であり、前記算において、Aがコバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウムや銀の1つ又は2つ以上の元素であり、0.02%≦x≦1.0%である。量子ドットが可視光によって光反応を駆使することで、元の場所には高効な半導体触媒を製造し且つバイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素ガスを製造する方法は、簡単、便利、高効、低価な特点を備え、また、焼成という厳しい条件ではなくても、光によって照射して元の場所には反応することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バイオマス誘導体をフォトカタリシス・改質して水素を製造するための半導体光触媒であって、前記半導体光触媒の原子組成比は、M〜N-Axであり、ただし、M〜NはII族元素〜VI族元素であり、またはM〜NはIII族元〜V族元素であり、前記式の中で、Aは、コバルト、ニッケル、鉄、銅、クロム、パラジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、金や銀の1つ又は2つ以上の元素であり、0.02%≦X≦1.0%であることを特徴とする半導体光触媒。

IPC (9件)：

B01J 27/057 , B01J 27/043 , B01J 27/185 , B01J 23/84 , B01J 35/02 , C01B 3/22 , C01B 19/04 , C01B 25/08 , C01G 51/00

FI (10件)：

B01J27/057 M , B01J27/043 M , B01J27/185 M , B01J23/84 M , B01J35/02 J , C01B3/22 A , C01B3/22 Z , C01B19/04 A , C01B25/08 A , C01G51/00 C

Fターム (89件)：

4G048AA01 , 4G048AA07 , 4G048AB02 , 4G048AC08 , 4G048AD10 , 4G048AE06 , 4G140DA01 , 4G140DA05 , 4G140DB04 , 4G140DC02 , 4G140DC07 , 4G169AA02 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA04A , 4G169BA04B , 4G169BA26C , 4G169BA27C , 4G169BA48A , 4G169BB04A , 4G169BB04B , 4G169BB06C , 4G169BB08C , 4G169BB10C , 4G169BB12C , 4G169BB14C , 4G169BB16C , 4G169BB17C , 4G169BC21A , 4G169BC21B , 4G169BC22A , 4G169BC27A , 4G169BC27B , 4G169BC31C , 4G169BC35A , 4G169BC36A , 4G169BC36B , 4G169BC50A , 4G169BC50B , 4G169BC58A , 4G169BC58B , 4G169BC58C , 4G169BC66A , 4G169BC66B , 4G169BC66C , 4G169BC67A , 4G169BC67B , 4G169BC67C , 4G169BC68A , 4G169BC68B , 4G169BC68C , 4G169BD07A , 4G169BD07B , 4G169BD08A , 4G169BD08B , 4G169BD08C , 4G169BD09A , 4G169BD09B , 4G169BD10A , 4G169BD10B , 4G169BD11C , 4G169BE01C , 4G169BE08C , 4G169BE13C , 4G169BE38C , 4G169BE42C , 4G169BE43C , 4G169BE44C , 4G169BE47C , 4G169CC31 , 4G169DA03 , 4G169EA01Y , 4G169EB19 , 4G169FA01 , 4G169FB05 , 4G169FB58 , 4G169FB77 , 4G169FC02 , 4G169FC08 , 4G169FC09 , 4G169HA02 , 4G169HA05 , 4G169HB01 , 4G169HB06 , 4G169HC02 , 4G169HC21 , 4G169HC29 , 4G169HD03 , 4G169HE20

引用特許：

出願人引用 (11件)

光を吸収して作用を提供する材料、及びその応用
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-064369 出願人：黄國柱
光触媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-274324 出願人：株式会社豊田中央研究所
基体上に形成されたチタニア系結晶体からなるナノ構造体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-295668 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

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審査官引用 (20件)

光を吸収して作用を提供する材料、及びその応用
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-064369 出願人：黄國柱
構造化三次元炭素又は炭素材発泡体由来の光触媒
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-526530 出願人：ソントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・サイエンティフィーク, ユニヴェルシテ・ドゥ・ストラスブール
光触媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-274324 出願人：株式会社豊田中央研究所

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