特許
J-GLOBAL ID：201403071277953919

半導体装置及びその製造方法並びに抵抗器及び半導体素子

発明者：
一法師 隆志

一法師 隆志 について

, 
岩松 俊明

岩松 俊明 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-087165
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169647
特許番号：特許第5378560号
出願日： 2012年04月06日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも表面が絶縁性の基板と、 前記基板の前記表面上に設けられ、その厚み方向に亘ってpn接合が少なくとも一つ形成される半導体膜と、 前記半導体膜上に選択的に形成され、前記半導体膜と金属との化合物である金属化合物層と を備え、 前記金属化合物層と前記半導体膜との境界の前記半導体膜の表面の端部から、前記基板の表面に平行で、前記半導体膜へと向かう方向を正とし、前記境界の前記端部を基準とし、少なくとも電圧が印加されるように配置された前記pn接合の全ての位置の最大値が2μm以下である半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 21/762 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)
FI (13件)：
H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/91 D ,  H01L 27/04 R ,  H01L 29/91 E ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/78 616 T
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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