特許
J-GLOBAL ID:201403071791649706
熱電変換素子の製造方法および熱電変換層用分散物の製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
飯田 敏三
, 野明 千雪
, 宮前 尚祐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-041690
公開番号(公開出願番号):特開2014-209573
出願日: 2014年03月04日
公開日(公表日): 2014年11月06日
要約:
【課題】ナノ導電性材料の分散性に優れ、成膜性および印刷性の高い熱電変換層用分散物の製造方法、および、この熱電変換層用分散物を用いた、導電性および熱電変換性能に優れた熱電変換素子の製造方法を提供すること。【解決手段】基材上に、第1の電極、熱電変換層および第2の電極を有する熱電変換素子の製造方法であって、少なくともナノ導電性材料と分散媒とを高速旋回薄膜分散法に供してナノ導電性材料を含有する熱電変換層用分散物を調製する工程と、調製した熱電変換層用分散物を基材上に塗布し、乾燥する工程とを有する熱電変換素子の製造方法、ならびに、少なくともナノ導電性材料と分散媒とを高速旋回薄膜分散法に供する熱電変換層用分散物の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材上に、第1の電極、熱電変換層および第2の電極を有する熱電変換素子の製造方法であって、
少なくともナノ導電性材料と分散媒とを高速旋回薄膜分散法に供して、前記ナノ導電性材料を含有する熱電変換層用分散物を調製する工程と、
調製した熱電変換層用分散物を前記基材上に塗布し、乾燥する工程とを有する熱電変換素子の製造方法。
IPC (12件):
H01L 35/34
, H01L 35/22
, H01L 29/06
, H01L 35/20
, H01L 35/18
, H02N 11/00
, B82Y 30/00
, B82Y 40/00
, C01B 31/02
, C08K 3/04
, C08L 101/12
, C08K 7/06
FI (12件):
H01L35/34
, H01L35/22
, H01L29/06 601N
, H01L35/20
, H01L35/18
, H02N11/00 A
, B82Y30/00
, B82Y40/00
, C01B31/02 101F
, C08K3/04
, C08L101/12
, C08K7/06
Fターム (34件):
4G146AA12
, 4G146AB06
, 4G146AB07
, 4G146AC02A
, 4G146AC02B
, 4G146AC15A
, 4G146AC15B
, 4G146AC19B
, 4G146AC20B
, 4G146AC23B
, 4G146AD17
, 4G146AD21
, 4G146AD28
, 4G146CB09
, 4G146CB10
, 4G146CB17
, 4G146CB35
, 4J002BM001
, 4J002CE001
, 4J002CH071
, 4J002CM011
, 4J002CN011
, 4J002DA016
, 4J002DA026
, 4J002EB120
, 4J002EU117
, 4J002FA046
, 4J002FA056
, 4J002FD201
, 4J002FD206
, 4J002FD207
, 4J002GQ00
, 4J002GT00
, 4J002HA08
引用特許:
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