特許
J-GLOBAL ID：201403072863522079
半導体装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-041451
公開番号（公開出願番号）：特開2013-157613
特許番号：特許第5628949号
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の基板上に第1の酸化物半導体膜を成膜し、
遮蔽物を有する第1のフォトマスクを通して、前記第1の酸化物半導体膜にレーザビームを照射して、前記第1の基板上に島状の酸化物半導体膜を残存させ、
前記島状の酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
第2の酸化物半導体膜と、前記第2の酸化物半導体膜上の金属膜とを有する第2の基板の前記金属膜が設けられた面を前記ゲート絶縁膜に向け、前記第2の基板の前記酸化物半導体膜と前記金属膜とが設けられていない面から、遮蔽物を有する第2のフォトマスクを介してレーザビームを照射して、前記ゲート絶縁膜上に前記金属膜から転写された電極を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜の残存は、前記第1の酸化物半導体膜をレーザアブレーションさせて行い、
前記金属膜の転写は、前記第2の酸化物半導体膜をレーザアブレーションさせて行い、
前記第2の基板は、紫外光を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/302 201 B
, H01L 29/78 627 C
