特許
J-GLOBAL ID：201403073642371684
多結晶シリコンの堆積のための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170952
公開番号（公開出願番号）：特開2014-080352
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】反応器および多結晶シリコンロッドが、堆積中に形成される遊離の粒子または粉塵およびベルジャーコーティングを含まないようにする多結晶シリコンを生産するための新規な費用のかからない方法を提供すること。【解決手段】本発明は、ケイ素含有成分と水素とを含有する反応ガスを反応器中へ導入し、その結果多結晶シリコンがロッドの形で堆積されることを含む多結晶シリコンの堆積の方法であって、前記堆積の終了後に、前記多結晶シリコンロッドの前記反応器からの除去前に、堆積過程中に形成し反応器内壁上または前記多結晶シリコンロッド上に付着するシリコン含有粒子を溶解するために前記多結晶ロッドおよび反応器内壁の周囲に流れるシリコンまたはケイ素化合物を侵蝕するガスを、前記反応器中に通過させることを含む方法に関する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ケイ素含有成分と水素とを含有する反応ガスを反応器中へ導入し、その結果多結晶シリコンがロッドの形で堆積されることを含む多結晶シリコンの堆積の方法であって、前記堆積の終了後に、前記多結晶シリコンロッドの前記反応器からの除去前に、堆積過程中に形成し反応器内壁上または前記多結晶シリコンロッド上に付着するシリコン含有粒子を溶解するために前記多結晶ロッドおよび反応器内壁の周囲に流れるシリコンまたはケイ素化合物を侵蝕するガスを、前記反応器中に通過させることを含む方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C01B33/035
, C30B29/06 504Z
, C30B29/06 D
4G072AA01
, 4G072BB03
, 4G072BB05
, 4G072BB12
, 4G072GG03
, 4G072HH07
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072JJ14
, 4G072MM21
, 4G072MM26
, 4G072NN14
, 4G072UU01
, 4G072UU02
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077DB04
, 4G077EA06
, 4G077FG01
, 4G077FJ01
, 4G077TA03
, 4G077TB03
, 4G077TC17
