特許
J-GLOBAL ID:201403074813712155
α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小越 勇
, 小越 一輝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-238445
公開番号(公開出願番号):特開2014-088621
出願日: 2013年11月19日
公開日(公表日): 2014年05月15日
要約:
【課題】高密度化及び高容量化された半導体装置において、半導体チップ近傍の材料、特にはんだ材料からのα線の影響によるソフトエラーが発生を防止できる、錫又は錫合金及びその製造方法を提供する。【解決手段】溶解・鋳造した後の試料のα線量が0.0005cph/cm2未満である錫。溶解・鋳造から1週間後、3週間後、1ヵ月後、2ヵ月後、6ヵ月後及び30ヵ月後の、それぞれのα線量が0.0005cph/cm2未満であり、試料の第1回目に測定したα線量が0.0002cph/cm2未満であって、そのα線量と、それから5ヶ月経過した後に測定したα線量との差が0.0003cph/cm2未満であることが好ましい。Pb含有量が0.1ppm以下であり、U,Thのそれぞれの含有量が5ppb以下であり、錫を40%以上含有する錫合金である。純度3Nレベルの原料錫を塩酸又は硫酸で浸出した後、特定した電解液を用いて電解精製する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
溶解・鋳造した後の試料のα線量が0.0005cph/cm2未満であることを特徴とする錫。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (21件):
4K001AA24
, 4K001BA23
, 4K001CA05
, 4K001CA09
, 4K001DB03
, 4K001DB04
, 4K001DB21
, 4K058AA01
, 4K058BA28
, 4K058BB01
, 4K058BB02
, 4K058BB03
, 4K058CA03
, 4K058CA04
, 4K058CA05
, 4K058CA11
, 4K058CA13
, 4K058CA17
, 4K058CA22
, 4K058EB16
, 4K058EC03
引用特許:
審査官引用 (5件)
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低α線錫合金の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-038661
出願人:ハリマ化成株式会社, 株式会社大和化成研究所
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低α線量錫の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-236883
出願人:三菱マテリアル株式会社
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特開平2-228487
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特開平1-283398
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特開昭59-064790
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