特許
J-GLOBAL ID：201403075508933091
オルトシリケート誘導体に基づく新規なリチウム挿入電極材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
中村 稔
, 箱田 篤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-228708
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067718
出願日： 2013年11月01日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：
【課題】本発明は、オルトシリケート誘導体に基づく新規なリチウム挿入電極材料、これらの材料を含む電極を有する電気化学的発電装置及び可変光伝導装置に関する。【解決手段】少なくとも二価の結合価を有する少なくとも一の遷移金属を取り込むことによって、ビルディングブロックとしてSiO44-テトラニオンを含むオルトシリケートを使用する。構造からリチウムが出入りして、電極作動中のレドックス共役体の原子価の変化を補償し、全体としての電気的中性度を保つ。本発明の電極材料は、例えば、Li2MnSiO4,Li2FeSiO4などが挙げられる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
オルトシリケート構造を有し、かつ以下の式を有するリチウムイオン可逆性の挿入型の電極材料:
LixMm-tTt[SiO4]1-p[PO4]p
式中、
MはMn2+又はFe2+及びその混合物を意味し;
TはAl3+、Ti3+、Cr3+、Fe3+、Mn3+、Ga3+、Zn3+、及びV3+から成る群から選択される+3酸化状態にある金属を意味し;
M及びTは八面体又は四面体部位に位置する元素であり;
pは、ケイ素四面体部位に位置するP5+(ホスフェート)に対応する化学量論係数であり;化学量論係数のtは正の数であり、0(含む)と1(含む)の間の数であり;0≦x≦2、1≦m≦2;かつx+2m=4-pであり、化学量論係数のpは正の数であり、0(含む)と1(含まない)の間の数である。
IPC (6件)：
H01M 4/58
, H01M 4/62
, H01M 4/48
, H01M 4/485
, H01M 4/36
, H01G 11/30
H01M4/58
, H01M4/62 Z
, H01M4/48
, H01M4/485
, H01M4/36 E
, H01G11/30
5E078AB03
, 5E078BA27
, 5H050AA01
, 5H050BA05
, 5H050BA16
, 5H050BA17
, 5H050CA01
, 5H050CA02
, 5H050CA11
, 5H050CA29
, 5H050CB01
, 5H050CB02
, 5H050CB03
, 5H050CB07
, 5H050CB12
, 5H050DA10
, 5H050DA11
, 5H050DA13
, 5H050EA08
, 5H050EA23
, 5H050EA28
, 5H050HA02
, 5H050HA11
