半導体基板製品の製造方法及びエッチング液

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：飯田敏三 , 宮前尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-283429
公開番号（公開出願番号）：特開2014-057039
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：

【課題】十分なエッチング速度を維持しつつ、不純物を含有するシリコン層を保護して、酸化シリコンの層を選択的にエッチングすることを可能にする半導体基板製品の製造方法およびエッチング液を提供する。また、必要により、基板間でばらつきのないエッチングを可能とする、泡立ちを抑えた良好な製造適性を示す半導体基板製品の製造方法およびエッチング液を提供する。【解決手段】それぞれ異なる不純物を含む不純物含有シリコン層2種以上と酸化シリコンの層とを有する半導体基板にエッチング液を適用して、酸化シリコンの層を選択的にエッチングする半導体基板製品の製造方法であって、エッチング液が水とフッ酸化合物とアニオン性化合物とを含有する半導体基板製品の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

それぞれ異なる不純物を含む不純物含有シリコン層2種以上と酸化シリコンの層とを有する半導体基板にエッチング液を適用して、前記酸化シリコンの層を選択的にエッチングする半導体基板製品の製造方法であって、前記エッチング液が水とフッ酸化合物とアニオン性化合物とを含有する半導体基板製品の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L21/306 D , H01L29/58 G , H01L29/78 301Y , H01L29/78 617V

Fターム (107件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104HH04 , 5F043AA31 , 5F043BB22 , 5F043GG04 , 5F110AA06 , 5F110AA12 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE32 , 5F110EE43 , 5F110EE45 , 5F110EE47 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110GG34 , 5F110GG37 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110QQ19 , 5F140AA02 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AA26 , 5F140AA39 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG01 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG30 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH22 , 5F140BH36 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK22 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-223369 出願人：シャープ株式会社
メモリデバイス構造の洗浄製剤
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-536457 出願人：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド
特開昭63-283028

全件表示

前のページに戻る