アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-250945
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099527
出願日： 2012年11月15日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：

【課題】アバランシェフォトダイオードの増倍層を、電圧印加時に正孔がイオン化しない半導体から構成できるようにする。【解決手段】基板101の上に形成されたp型の第1コンタクト層102と、基板101の上に形成されたn型の第2コンタクト層103と、第1コンタクト層102と第2コンタクト層103との間に形成された光吸収層104とを備える。また、光吸収層104と第2コンタクト層103との間に形成された増倍層105と、光吸収層104と増倍層105との間に形成されたn型の電界制御層106と、光吸収層104と増倍層105との間に形成された反射構造層107とを備える。また、増倍層105は、電圧印加時に正孔がイオン化しない化合物半導体から構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1基板の上に化合物半導体からなるp型の第1コンタクト層を形成する工程と、前記第1コンタクト層の上にIII-V族化合物半導体からなる光吸収層を形成する工程と、第2基板の上にn型の化合物半導体からなる第2コンタクト層を形成する工程と、前記第2コンタクト層の上にアンドープの化合物半導体からなる増倍層を形成する工程と、前記光吸収層と前記増倍層との間に配置される半導体多層構造からなる反射構造層を形成する工程と、前記反射構造層と前記増倍層との間に配置されるn型の化合物半導体からなる電界制御層を形成する工程と、前記第1基板の前記光吸収層の形成側と前記第2基板の前記増倍層の形成側とを貼り合わせることで、前記第1基板の上に、前記第1コンタクト層,前記光吸収層,前記反射構造層,前記電界制御層,前記増倍層,および前記第2コンタクト層がこれらの順に積層された状態とする工程と、前記第1基板および前記第2基板の選択された方を除去する工程と、前記第1コンタクト層に第1電極を接続して形成する工程と、前記第2コンタクト層に第2電極を接続して形成する工程とを少なくとも備え、前記増倍層は、電圧印加時に正孔がイオン化しない半導体から構成することを特徴とするアバランシェフォトダイオードの製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/107

FI (1件)：

H01L31/10 B

Fターム (5件)：

5F049MA08 , 5F049MB07 , 5F049QA02 , 5F049SS04 , 5F049SZ16

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-182272
特開平2-222580
特開昭60-148177

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