特許

J-GLOBAL ID：201403077328617038

複数のプログラマブル領域を有するゲートアレイ構造

発明者： ジョナサン シー パーク ,  サラ エム ワーフェリ ,  ウェイツィ カン ,  ワン タット ホイ ,  コック シオン テー ,  ジェレミー ジア ジエン リー
出願人/特許権者： ベイサンド インコーポレーテッド
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  岡野 大和 ,  鈴木 俊樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-534617
公開番号（公開出願番号）：特表2014-528649
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：

ウエハ上に設けた、カスタマイズ不可のマスク層を備えた第1の固定(非プログラマブル)領域と、第1固定領域の上に設けた、カスタマイズ可能なマスク層を備えたプログラマブル領域と、を備えるカスタム集積回路(IC)を形成するためのシステムおよび方法を開示する。第1の固定領域は、ベースセルを形成する、多数のトランジスタと、第1の相互接続層と、前記第1の相互接続層の上に設けた第2の相互接続層とを備える。プログラマブル領域のマスク層のうち少なくとも1層を第2の相互接続層と接続して、ベースセルのすべてのトランジスタノードへの電気的アクセスを可能にする。プログラマブル領域は、カスタマイズ可能なマスク層と接続する第3の相互接続層を備え、ICをカスタマイズする。第2の固定領域をプログラム領域の上に形成し、固定領域を複数とし、カスタムICをカスタマイズする際に必要なマスクの数を削減してもよい。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

カスタム集積回路(IC)であって、 ウエハ上に設けた、カスタマイズ不可のマスク層を備えた第1の固定(非プログラマブル)領域と、 前記第1の固定領域の上に設けた、カスタマイズ可能なマスク層を備えたプログラマブル領域と、を備え、 前記第1の固定領域は、ベースセルを形成する、多数のトランジスタと、第1の相互接続層と、前記第1の相互接続層の上に設けた第2の相互接続層と、を備え、 前記プログラマブル領域内のマスク層のうち少なくとも1層は、前記第2の相互接続層と接続することにより、前記ベースセルのすべてのトランジスタのノードへの電気的アクセスを提供し、 前記プログラマブル領域は、前記カスタマイズ可能なマスク層と接続する第3の相互接続層を備えて前記カスタムICをカスタマイズすることを特徴とする、 カスタム集積回路(IC)。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/118

FI (2件)：

H01L21/82 W ,  H01L21/82 M

Fターム (20件)：

5F064AA03 ,  5F064BB05 ,  5F064BB06 ,  5F064BB07 ,  5F064BB09 ,  5F064BB13 ,  5F064BB15 ,  5F064BB19 ,  5F064BB26 ,  5F064CC12 ,  5F064DD25 ,  5F064DD39 ,  5F064EE08 ,  5F064EE16 ,  5F064EE23 ,  5F064EE24 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE52 ,  5F064EE54

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-124223   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-297615   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-069728   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002091   出願人：株式会社東芝