特許
J-GLOBAL ID：201403077585803152

半導体装置

発明者：
高橋 剛

高橋 剛 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198509
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053548
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】トンネル電流が流れやすく、pn接合容量が低く、遮断周波数の高い、半導体装置を提供する。【解決手段】第1の導電型の第1の半導体層と、第2の導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の第3の半導体層及び第4の半導体層と、を有し、前記第1の半導体層、前記第3の半導体層、前記第4の半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、前記第3の半導体層のバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップよりも狭く形成されており、前記第4の半導体層のバンドギャップは、前記第3の半導体層のバンドギャップよりも狭く形成されていることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
第1の導電型の第1の半導体層と、 第2の導電型の第2の半導体層と、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の第3の半導体層及び第4の半導体層と、 を有し、 前記第1の半導体層、前記第3の半導体層、前記第4の半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、 前記第3の半導体層のバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップよりも狭く形成されており、 前記第4の半導体層のバンドギャップは、前記第3の半導体層のバンドギャップよりも狭く形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01L29/91 H ,  H01L29/80 H ,  H01L29/91 F
Fターム (15件)：
5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM