特許
J-GLOBAL ID：201403080185095877

半導体装置

発明者：
上野 勝典

上野 勝典 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について

, 
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-263756
公開番号（公開出願番号）：特開2014-110311
出願日： 2012年11月30日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
要約：
【課題】主電極内の電流密度が低いダイオードとトランジスタとを備える半導体装置を提供すること。【解決手段】モノリシックに、電気的に並列に接続された、ダイオードと、トランジスタとを備え、主電流が主面側を流れる横型の半導体装置であって、前記ダイオードと前記トランジスタとが主電流を流す主電極を共有し、共有された前記主電極は前記ダイオードと前記トランジスタとに片方ずつ交互に主電流を流すことを特徴とする。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
モノリシックに、電気的に並列に接続された、ダイオードと、トランジスタとを備え、主電流が主面側を流れる横型の半導体装置であって、 前記ダイオードと前記トランジスタとが主電流を流す主電極を共有し、共有された前記主電極は前記ダイオードと前記トランジスタとに片方ずつ交互に主電流を流すことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 27/095 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823
FI (6件)：
H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L27/06 F
Fターム (46件)：
4M104AA04 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF11 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG13 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM02 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR13 ,  5F102GS09 ,  5F102GT01 ,  5F102GV03 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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