特許

J-GLOBAL ID：201403080205957218

金属イオンドープEu(II)化合物のナノ結晶及び薄膜

発明者： 長谷川 靖哉 ,  前田 将司 ,  熊谷 美那 ,  伏見 公志
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  大森 鉄平
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012055264
公開番号（公開出願番号）：WO2012-121112
出願日： 2012年03月01日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

遷移金属のイオンがドープされたEu(II)化合物のナノ結晶である。このように構成することで、Eu(II)化合物ナノ粒子の量子サイズ効果を奏しつつ、遷移金属のイオンがEu(II)化合物ナノ粒子の光磁気特性に影響を与えることができる。このため、光磁気特性を向上させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

遷移金属のイオンがドープされたEu(II)化合物のナノ結晶。

IPC (1件)：

C01F 17/00

FI (1件)：

C01F17/00 E

Fターム (11件)：

4G076AA03 ,  4G076AA18 ,  4G076AB11 ,  4G076BA13 ,  4G076BC08 ,  4G076BD02 ,  4G076CA04 ,  4G076CA26 ,  4G076CA33 ,  4G076CA40 ,  4G076DA07