特許

J-GLOBAL ID：201403081176780300

基板の2つの面間の電気的接続および製造工程

発明者： ビュ-ロシャ,ラン ,  キュシェ,ロベール ,  ジラール,オリビエ
出願人/特許権者： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-564390
特許番号：特許第5329733号
出願日： 2001年02月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】導体または半導体基板の2つの面間の電気的な接続を形成する方法であって、 a)閉じたパターンを形作る第1の溝(28)を基板(20)の第1の面(21)から形成し、この第1の溝(28)を少なくとも一つの絶縁材料(30)で充填するステップと、 b)第1の導電手段(38)を前記基板(20)の前記第1の面(21)に堆積するステップであって、前記第1の導電手段は前記第1の溝(28)によって完全に囲まれている前記基板(20)の一部(46)と電気的に接続している、前記堆積ステップと、 c)前記基板(20)を前記基板の第2の面(22)から所望の厚さまで薄くするステップと、 d)第2の導電手段(42)を、前記第1の溝によって完全に囲まれた基板の前記一部(46)に対向するように、前記薄くされた基板の前記薄くされた面(40)上に形成するステップと、 e)第2の溝(44)を、前記薄くされた基板の前記薄くされた面(40)から前記第1の溝に対向するように形成するステップであって、この第2の溝は完全に前記基板の前記一部(46)を囲み、前記第1の溝に充填された前記材料に達するまで広がる、前期形成ステップとを含み、 そのことによって、前記電気的接続が前記第1の溝と前記第2の溝を含むトレンチによって完全に囲まれた前記基板(20)の前記一部(46)と前記第1の導電手段(38)と前記第2の導電手段(42)によって実現される、導体または半導体基板の2つの面間の電気的な接続を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/88 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 回路基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091536   出願人：株式会社山武
• 特開昭60-101945
  
• 特開昭60-101945
  
• 半導体力学量センサとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-019192   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭60-101945