特許
J-GLOBAL ID：201403081983941791

発光ダイオードおよびその形成方法

発明者：
ティン,スティーブ

ティン,スティーブ について


出願人/特許権者：
東芝テクノセンター株式会社

東芝テクノセンター株式会社 について


代理人 (3件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-510555
公開番号（公開出願番号）：特表2014-518014
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
要約：
発光素子(LED)は、n形III-V族半導体層と、n形III-V族半導体層に隣接する活性層と、活性層に隣接するp形III-V族半導体層と、を備える。活性層は、1つ以上のVピットを含む。p形III-V族半導体層の一部がVピット内にある。p形III-V族層の形成中に設けられるp形ドーパント注入層は、Vピット内のp形ドーパントの所定の濃度、分布及び/又は均一性をもたらすのを補助する。
請求項（抜粋）：
n形窒化ガリウム(GaN)層であって、n形ドーパントでドープされている、n形窒化ガリウム層と、 前記n形GaN層に隣接する活性層であって、前記活性層は1つ以上のVピットを有する、活性層と、 前記活性層に隣接するp形ドーパント注入層と、 前記p形ドーパント注入層に隣接するp形GaN層であって、前記p形GaN層はp形ドーパントでドープされ、前記p形GaN層は第1部分、及び外側が1つ以上のVピットによって境界された第2部分を有し、前記第1部分は前記活性層の上に配置される、p形GaN層と、 を備える、発光ダイオード(LED)。
IPC (3件)：
H01L 33/24 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/00 174 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205
Fターム (24件)：
5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045CA10 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045EE19 ,  5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65 ,  5F141CA67 ,  5F141CA88 ,  5F141CB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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