特許

J-GLOBAL ID：201003062523006691

発光素子とその製造方法

発明者： ド ヨル アン ,  スン ファン パク
出願人/特許権者： ウリエルエスティー カンパニー リミテッド
代理人 (3件)： 上田 邦生 ,  藤田 考晴 ,  川上 美紀
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-514606
公開番号（公開出願番号）：特表2010-532560
出願日： 2008年06月17日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

発光ダイオードとその製造方法を開示する。3元系または4元系III-V族窒化物半導体発光ダイオードは、[0001]結晶軸方向に配向した基板上に、[0001]結晶軸を基準に[11-22]結晶軸の方向に40 ゚〜70 ゚傾斜した配向方向に成長して、導電性不純物がドーピングされたバッファ層;バッファ層上に形成される発光層;バッファ層の下部に形成される第1電極;及び発光層上部に形成される第2電極;を含み、発光層は、バッファ層上に形成される第1クラッド層と、第1クラッド層上に形成される活性層と、活性層上に形成される第2クラッド層とを含む。本発明の半導体発光ダイオードは、活性層に引加される応力を相殺させて、自発分極現象を防止することができ、その結果、発光効率を向上することができる。

請求項（抜粋）：

[0001]結晶軸方向に配向した基板上に、[0001]結晶軸を基準に[11-22]結晶軸の方向に40 ゚〜70 ゚傾斜した配向方向に成長し、導電性不純物がドーピングされたバッファ層と、 該バッファ層上に形成された発光層と、 前記バッファ層の下部に形成された第1電極と、 前記発光層上に形成された第2電極とを含み、 前記発光層は、前記バッファ層上に形成された第1クラッド層と、該第1クラッド層上に形成される活性層と、該活性層上に形成された第2クラッド層とを含むことを特徴とする3元系または4元系III-V族窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (8件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-025433   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-355696   出願人：株式会社東芝