特許

J-GLOBAL ID：201403083206138856

電界効果型半導体装置及びその製造方法

発明者： 入沢 寿史 ,  手塚 勉 ,  前田 辰郎 ,  小田 穣 ,  ジェバスワン・ウィパコーン ,  安田 哲二
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (16件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-241762
公開番号（公開出願番号）：特開2014-093348
出願日： 2012年11月01日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：

【課題】バンドギャップ中の広いエネルギー範囲で界面準位密度の低いMOSFETが作製可能となり、移動度向上及びS値低減効果により低消費電力化に寄与する。【解決手段】電界効果型半導体装置であって、半導体層11の表面上に形成されたGaOx 層13と、GaOx 層13の表面上に形成された、high-k 膜からなるゲート絶縁膜14と、ゲート絶縁膜14の表面上に形成されたゲート電極15とを具備した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層の表面上に形成されたGaOx 層と、 前記GaOx 層の表面上に形成された、high-k 膜からなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の表面上に形成されたゲート電極と、 を具備したことを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G

Fターム (20件)：

5F140AA30 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG30 ,  5F140CB04