特許
J-GLOBAL ID：201403083422191729

スパッタリング装置

発明者：
羽田 浩二

羽田 浩二 について

, 
岡本 義伸

岡本 義伸 について

, 
井上 光郎

井上 光郎 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-178720
公開番号（公開出願番号）：特開2014-037555
出願日： 2012年08月10日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：
【課題】基板サイズの増大に対する装置コストの増大を抑制するとともに、基板サイズの変更に対して容易に対応可能なスパッタリング技術を提供する。【解決手段】スパッタリング装置は、真空排気されたチャンバーと、プラズマ生成ガス導入部と、ターゲット保持部と、基板を保持する基板保持部と、スパッタ用の電界を生成する電界生成部と、基板を所定の走査方向にターゲットに対して相対的に走査する走査機構と、ターゲットの側面に沿って配置された線状のプラズマ源を備えるプラズマ発生部とを備える。そして、プラズマ発生部は、プラズマ源によって、ターゲットの表面に沿った分布形状が帯状の高周波誘導結合プラズマを、当該帯状の高周波誘導結合プラズマの長手方向が前記走査方向を横切る方向となるように発生させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空排気されたチャンバーと、 前記チャンバー内にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入部と、 前記チャンバー内に設けられたターゲット保持部と、 前記ターゲット保持部に保持されたターゲットの表面と、成膜対象の基板の表面とが所定の距離を隔てて対向するように、当該基板を保持する基板保持部と、 前記ターゲットと、前記基板保持部に保持された前記基板との間にスパッタ用の電界を生成する電界生成部と、 前記基板保持部に保持された前記基板を、前記基板の表面に略平行な所定の走査方向に、前記ターゲットに対して相対的に走査する走査機構と、 前記ターゲットの側面に接触することなく当該側面に沿って配置された線状のプラズマ源を備えるとともに、当該プラズマ源によって、前記ターゲットの表面に沿った分布形状が帯状の高周波誘導結合プラズマを、当該帯状の高周波誘導結合プラズマの長手方向が前記走査方向を横切る方向となるように前記ターゲットの表面を含む領域に発生させるプラズマ発生部と、 を備え、前記プラズマ発生部が発生させた前記プラズマ生成ガスの高周波誘導結合プラズマによる前記ターゲットのスパッタリングによって前記基板上の二次元領域に成膜を行うスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/44 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
C23C14/44 ,  C23C14/56 G ,  H01L21/31 D
Fターム (30件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC16 ,  4K029DC28 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029KA01 ,  5F045AA19 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AE01 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045DP13 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB09 ,  5F045EC01 ,  5F045EF02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10 ,  5F045EN05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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