特許

J-GLOBAL ID：201403083813994842

記憶装置

発明者： 真国 一起 ,  沖永 隆幸 ,  東 修一郎 ,  高田 陽介 ,  菅原 識介
出願人/特許権者： 株式会社バッファローメモリ
代理人 (2件)： 竹居 信利 ,  在原 元司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144642
公開番号（公開出願番号）：特開2014-010498
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：

【課題】ホスト機器に特別な仕様変更を施すことなく、汎用HDDを記憶装置に換装する。【解決手段】NAND型フラッシュメモリ内の特定領域に対して上書き用データを上書きすることにより、この特定領域内に記憶されていた既存データの消去が、インタフェースが定める上書き命令によりホスト機器から指示されたか否かを判断する判断部と、判断部が、特定領域内に記憶されていた既存データの消去指示がされたと判断したら、この特定領域を含む物理ブロックに対してブロック消去を指示し、特定領域を含む物理ブロックのNAND型フラッシュメモリの電荷を除去することで既存データを消去する消去部とを設けた。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

NAND型フラッシュメモリと、このNAND型フラッシュメモリに対するデータの書き込み/読み出しを制御する制御部とを備え、ホスト機器にインタフェースを介して接続された記憶装置において、 制御部は、 前記ホスト機器から、前記インタフェースを介して前記ホスト機器に接続されるインタフェース部と、 前記NAND型フラッシュメモリ内の特定領域に対して上書き用データを上書きすることにより、この特定領域内に記憶されていた既存データの消去が、前記インタフェースが定める上書き命令により前記ホスト機器から指示されたか否かを判断する判断部と、 前記判断部が、前記特定領域内に記憶された前記既存データへの消去指示がされたと判断したら、この特定領域を含む物理ブロックに対してブロック消去を指示し、前記特定領域を含む物理ブロックの前記NAND型フラッシュメモリの電荷を除去することで前記既存データを消去する消去部と を備えることを特徴とする記憶装置。

IPC (1件)：

G06F 12/00

FI (2件)：

G06F12/00 550A ,  G06F12/00 597U

Fターム (1件)：

5B060AB30

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-231535   出願人：株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• データ消去方法及び情報機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-166765   出願人：株式会社ハギワラシスコム