特許
J-GLOBAL ID：201403085455158304
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-026750
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157866
出願日： 2013年02月14日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：
【課題】デバイスウェハに対してキャップウェハを貼り合わせる半導体装置の小型化を図る。【解決手段】キャビティ66を形成する前に、半導体基板63の一面61に酸化膜64を形成しておき、マスク81を用いて酸化膜64を除去してから半導体基板63の一面61からエッチングしてキャビティ66を形成する。これにより、酸化膜64を均一な膜厚にできるし、酸化膜64を形成する際の熱酸化がキャビティ66の影響を受けないため、キャビティ66との境界となる端部61aの周囲において一面61が平面になる。また、酸化膜64の表面も凸形状とはならず、平坦面となる。このため、酸化膜64が端部61aからデバイスウェハ10に貼り付けられるようにでき、従来のような未接合領域がほぼなく、ほぼ全域が接合領域となるようにできる。したがって、接合代を広面積にとる必要性がなくなり、半導体装置の小型化を図ることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部(16)が形成されたデバイスウェハ(10)と、
前記デバイスウェハに貼り合わされる一面(61)を有し、当該一面のうち前記センシング部と対向する領域にキャビティ(66)が形成された半導体基板(63)と、前記デバイスウェハと前記半導体基板の一面との間に配置される酸化膜(64)と、を有して構成されるキャップウェハ(60)と、を備え、
前記デバイスウェハと前記キャビティの内壁面が形成する空間によって形成される気密室(70)に前記センシング部が気密封止されてなる半導体装置であって、
前記一面側において、前記一面上にのみ前記酸化膜が形成されることで前記キャビティの内壁面が前記酸化膜から露出させられており、前記一面のうち前記キャビティとの境界部となる端部(61a)から前記キャビティの外周方向に向かって前記一面が平坦かつ均一膜厚な面になっていると共に、前記酸化膜が前記端部から前記デバイスウェハに貼り付けられた接合領域とされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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