特許
J-GLOBAL ID：201403085724758828
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
, 京村 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-084041
公開番号（公開出願番号）：特開2014-207328
出願日： 2013年04月12日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
要約：
【課題】ピーク発光波長が500nm以上の光を発生する発光層における結晶品質を向上させることができる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】ピーク発光波長が500nm以上の光を発生し、InxGa1-xN(x=0.18〜0.23)層を有する発光層を含むIII族窒化物半導体層3を備える発光ダイオードにおいて、III族窒化物半導体層3の表面(成長面)3aを、c面{0001}に対してm軸[1-100]のオフ方向に0.3°以上のオフ角θで傾斜した面とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体からなり、少なくともn型層と、p型層と、前記n型層および前記p型層で挟まれた発光層とを有する積層構造のIII族窒化物半導体層を備え、
前記発光層は、ピーク発光波長が500nm以上の光を発生するものであり、InxGa1-xN(x=0.18〜0.30)層を有し、
前記III族窒化物半導体層の成長面が、c面に対して0.3°以上のオフ角で傾斜した面である、半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 160
, H01L33/00 186
5F141AA03
, 5F141AA40
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA23
, 5F141CA40
, 5F141CA49
, 5F141CA57
, 5F141CA65
, 5F141CA77
, 5F141CA85
, 5F141CA87
, 5F141CA88
