特許

J-GLOBAL ID：201103090922847854

III族窒化物半導体光素子

発明者： 上野 昌紀 ,  善積 祐介 ,  塩谷 陽平 ,  京野 孝史 ,  秋田 勝史 ,  住友 隆道 ,  足立 真寛 ,  徳山 慎司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  鈴木 英彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-167143
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023539
出願日： 2009年07月15日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】ピエゾ電界の影響が抑制されていると共に、高い結晶品質を有するIII族窒化物半導体光素子を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体光素子11aは、c軸方向に延びる基準軸Cxに直交する基準平面Scに対して有限の角度をなす主面13aを有するIII族窒化物半導体基板13と、III族窒化物半導体基板13の主面13a上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層28、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層29を含む量子井戸構造の活性層17とを備え、主面13aは、半極性を示し、活性層17は、1×1017cm-3以上8×1017cm-3以下の酸素濃度を有しており、複数のバリア層29は、井戸層28のIII族窒化物半導体基板側の下部界面28Sdと接する上部界面近傍領域29uにおいて、酸素以外のn型不純物を1×1017cm-3以上1×1019cm-3以下の濃度で含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体からなり、該III族窒化物半導体のc軸方向に延びる基準軸に直交する基準平面に対して有限の角度をなす主面を有するIII族窒化物半導体基板と、 前記III族窒化物半導体基板の前記主面上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層を含む量子井戸構造の活性層と、 を備え、 前記主面は、半極性を示し、 前記活性層は、エピタキシャル層であって、1×1017cm-3以上8×1017cm-3以下の酸素濃度を有しており、 前記複数のバリア層は、前記井戸層の前記III族窒化物半導体基板側の界面と接する界面近傍領域において、酸素以外のn型不純物を1×1017cm-3以上1×1019cm-3以下の濃度で含むことを特徴とするIII族窒化物半導体光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/32 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L33/00 186 ,  H01S5/343 610

Fターム (20件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F173AF18 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ15 ,  5F173AJ20 ,  5F173AJ43 ,  5F173AP05 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 光半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265311   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097134   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体基板及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-350749   出願人：日立電線株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-207870   出願人：パナソニック株式会社

審査官引用 (4件)

• 光半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265311   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097134   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体基板及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-350749   出願人：日立電線株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-207870   出願人：パナソニック株式会社