特許
J-GLOBAL ID：201403086359342656

酸化グラフェン、それを用いた非水系二次電池用正極、及びその製造方法、非水系二次電池、電子機器

発明者：
等々力 弘篤

等々力 弘篤 について

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湯川 幹央

湯川 幹央 について

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齋藤 祐美子

齋藤 祐美子 について

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山梶 正樹

山梶 正樹 について

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矢田部 莉加

矢田部 莉加 について

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池沼 達也

池沼 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-050128
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007141
出願日： 2013年03月13日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【課題】少量の導電助剤で電子伝導性の高い活物質層を形成するための導電助剤の原料として用いられる酸化グラフェンを提供する。また、該酸化グラフェンを導電助剤に用いた非水系二次電池用正極を提供する。【解決手段】非水系二次電池用正極に用いる導電助剤の原料として用いられる酸化グラフェンであって、炭素に対する酸素の重量比が0.405以上である酸化グラフェンである。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
非水系二次電池用正極に用いる導電助剤の原料として用いられる酸化グラフェンであって、炭素に対する酸素の重量比が0.405以上であることを特徴とする酸化グラフェン。
IPC (7件)：
H01M 4/62 ,  C01B 31/00 ,  H01M 4/13 ,  H01M 4/136 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/139 ,  C01B 31/02
FI (7件)：
H01M4/62 Z ,  C01B31/00 ,  H01M4/13 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M4/139 ,  C01B31/02 101Z
Fターム (52件)：
4G146AA01 ,  4G146AA28 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03B ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD17 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146BA08 ,  4G146BA42 ,  4G146BA45 ,  4G146BB04 ,  4G146BB07 ,  4G146BB10 ,  4G146BB22 ,  4G146BC02 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC44 ,  4G146BC47 ,  4G146CB11 ,  4G146CB13 ,  4G146CB19 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB01 ,  5H050CB02 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050CB09 ,  5H050CB11 ,  5H050CB12 ,  5H050DA02 ,  5H050DA10 ,  5H050EA08 ,  5H050EA10 ,  5H050EA23 ,  5H050EA24 ,  5H050EA28 ,  5H050FA02 ,  5H050FA05 ,  5H050GA10 ,  5H050GA15 ,  5H050GA22 ,  5H050HA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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