特許
J-GLOBAL ID：201403086872551120
微細パターン形成方法、現像液
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-145474
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011245
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：
【課題】エッチング耐性に優れた、良好な微細パターンを形成する方法及び現像液の提供。【解決手段】複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を基板上に形成した後、該層を加熱し該層を相分離させる相分離工程と、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相の少なくとも一部を分解する分解工程と、前記層を現像液に浸漬させ、分解されたブロックを含む相を選択的に除去し、ナノ構造体を形成する選択的除去工程と、前記ナノ構造体をマスクとして基板のエッチングを行うエッチング工程とを有し、前記現像液が、SP値が7.5〜11.5(cal/cm3)1/2であり、かつ25°Cにおける蒸気圧が2.1kPa未満である有機溶媒又はアルキル基、アルコキシ基若しくはハロゲン原子で置換されていても良いベンゼンを主成分とし、さらに金属アルコキシドを含有する微細パターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を基板上に形成した後、当該層を加熱し、当該層を相分離させる相分離工程と、
前記層のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相の少なくとも一部を分解する分解工程と、
前記層を現像液に浸漬させ、前記分解工程において分解されたブロックを含む相を選択的に除去し、ナノ構造体を形成する選択的除去工程と、
前記ナノ構造体をマスクとして基板のエッチングを行うエッチング工程と、
を有し、
前記現像液が、SP値が7.5〜11.5(cal/cm3)1/2であり、かつ25°Cにおける蒸気圧が2.1kPa未満である有機溶媒、又はアルキル基、アルコキシ基若しくはハロゲン原子で置換されていても良いベンゼンを主成分とし、さらに、金属アルコキシドを含有することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B29C 33/38
, B82Y 40/00
, H01L 21/306
H01L21/30 502D
, B29C33/38
, B82Y40/00
, H01L21/30 569E
, H01L21/302 105A
4F202AA13
, 4F202AA21
, 4F202AF01
, 4F202AG01
, 4F202AG05
, 4F202AJ03
, 4F202AJ09
, 4F202AK03
, 4F202AR20
, 4F202CA09
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CB29
, 4F202CD16
, 4F202CD22
, 4F202CD23
, 4F202CD24
, 4F202CD30
, 5F004AA04
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004EA03
, 5F146AA28
, 5F146LA12
