特許

J-GLOBAL ID：201403088376149722

装置、磁気素子、およびセンサ

発明者： マーク・ウィリアム・コビントン ,  ディミタール・ベリコフ・ディミトロフ ,  ソン・ダイアン
出願人/特許権者： シーゲイト テクノロジー エルエルシー
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-122657
公開番号（公開出願番号）：特開2014-010881
出願日： 2013年06月11日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：

【課題】減磁エネルギーおよび素子非対称性を制御する素子を提供する。【解決手段】装置は、概して、空気軸受面(ABS)に位置付けられた磁気自由層を有する磁気積層体に向けられ得る。磁気自由層は、当該磁気自由層に結合され、かつABSから遠位な位置に位置付けられるバイアス構造によって、さまざまな実施例において予め定められた磁化にバイアスされ得る。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

空気軸受面(ABS)に位置付けられ、バイアス構造によって予め定められた磁化にバイアスされた磁気自由層を有する磁気積層体を備え、 前記バイアス構造は、前記磁気自由層に結合され、かつ前記ABSから遠位な位置に位置付けられている、装置。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B5/39 ,  H01L43/08 B ,  H01L43/08 Z

Fターム (10件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA12 ,  5D034BA30 ,  5F092AB03 ,  5F092AC11 ,  5F092AD03 ,  5F092BB36 ,  5F092FA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 装置および磁気素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-260601   出願人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー
• 磁気抵抗型ヘッド及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-279558   出願人：富士通株式会社
• 磁気再生素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-147068   出願人：シャープ株式会社