特許
J-GLOBAL ID:200903086839285725
磁気再生素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
梶 良之
, 須原 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-147068
公開番号(公開出願番号):特開2008-299995
出願日: 2007年06月01日
公開日(公表日): 2008年12月11日
要約:
【課題】再生すべき磁気ビットサイズ及び隣接する磁気ビット間隔が小さくなったような場合でも、磁化自由層が、磁気ビットからの漏洩磁界を感知し、隣接する磁気ビットからの漏洩磁界を感知しない磁気再生素子を得る。【解決手段】下磁気シールド層1と、反強磁性層2と、磁化固定層3、非磁性中間層4、磁化自由層5の順に積層されてなる磁気抵抗効果素子と、磁化自由層5上及び磁化自由層5における磁気記録媒体のトラック幅方向における両側部の媒体対向面側に絶縁層6を介して形成されている上磁気シールド層7と、バイアス非磁性層8、バイアス強磁性層9、バイアス反強磁性層10の順に積層されてなるバイアス層13とを備えている。そして、磁化自由層5の上部において、上磁気シールド層7においては、バイアス層13が媒体対向面側からは見えないように、絶縁層6を介してバイアス層13の媒体対向面側の面を覆っている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の磁気シールド層と、第2の磁気シールド層と、磁化固定層、非磁性中間層、磁化自由層が順に積層されてなる磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層上に形成されている第1のバイアス層とを備え、前記第1の磁気シールドと前記第2の磁気シールドとの間に前記磁気抵抗効果素子が挟まれている磁気再生素子であって、
前記磁化固定層、前記非磁性中間層、前記磁化自由層の積層方向と平行な、記録媒体に対向させるための媒体対向面を有しており、
前記第1のバイアス層における前記媒体対向面側の面の少なくとも一部が、前記第1のシールド層で覆われていることを特徴とする磁気再生素子。
IPC (5件):
G11B 5/39
, H01L 43/08
, H01F 10/26
, H01F 10/16
, G01R 33/09
FI (5件):
G11B5/39
, H01L43/08 Z
, H01F10/26
, H01F10/16
, G01R33/06 R
Fターム (44件):
2G017AA13
, 2G017AB07
, 2G017AC01
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD56
, 5D034BA04
, 5D034BB08
, 5D034CA04
, 5D034CA05
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA25
, 5E049CB02
, 5E049DB04
, 5E049DB12
, 5F092AB03
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092BB17
, 5F092BB23
, 5F092BB31
, 5F092BB33
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB55
, 5F092BB65
, 5F092BB66
, 5F092BB71
, 5F092BB82
, 5F092BC04
, 5F092BC13
, 5F092BC16
, 5F092BC43
, 5F092CA08
, 5F092CA09
, 5F092CA23
引用特許:
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