特許

J-GLOBAL ID：201403088789787328

電子ビームおよびイオンビームを用いた仕上げ装置および方法

発明者： カン ウン グ ,  イ ソク ウ ,  チェ ヨン ジェ ,  イ ドン ユン
出願人/特許権者： 韓国生産技術研究院
代理人 (4件)： 森 哲也 ,  田中 秀▲てつ▼ ,  廣瀬 一 ,  山田 勇毅
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-509257
公開番号（公開出願番号）：特表2014-514163
出願日： 2012年10月04日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
要約：

本発明は、電子ビームおよびイオンビームを用いた仕上げ装置および仕上げ方法に関し、より詳しくは、被処理物が設けられたステージと、該ステージを取り囲み、内部が真空状態に維持されたチャンバと、該チャンバの一側に設けられ、被処理物に電子ビームを照射する電子ビーム発生装置と、電子ビームが照射された被処理物にイオンビームを照射して表面処理を行うイオンビーム発生装置と、を含む仕上げ装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理物が設けられたステージと、 前記ステージを取り囲み、内部が真空状態に維持されたチャンバと、 前記チャンバの一側に設けられ、前記被処理物に電子ビームを照射する電子ビーム発生装置と、 前記電子ビームが照射された前記被処理物にイオンビームを照射して表面処理を行うイオンビーム発生装置と、を含む仕上げ装置。

IPC (3件)：

B23K 15/00 ,  H01J 37/30 ,  H01J 37/305

FI (4件)：

B23K15/00 502 ,  H01J37/30 A ,  H01J37/305 A ,  B23K15/00 508

Fターム (14件)：

4E066AA00 ,  4E066BA06 ,  4E066BA12 ,  4E066BA13 ,  4E066BB02 ,  4E066BE00 ,  4E066CA14 ,  4E066CA17 ,  5C034AA01 ,  5C034AA09 ,  5C034AB01 ,  5C034AB04 ,  5C034BB09 ,  5C034BB10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• イオンミリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298231   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体ヘテロ薄膜のその場作製および評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067368   出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長