特許
J-GLOBAL ID：200903064784991788
イオンミリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298231
公開番号（公開出願番号）：特開平11-132920
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 透過型電子顕微鏡の試料作製において、試料が絶縁性である場合、イオンビームの照射によって試料表面に帯電が生じ、イオンミリングが進行しにくくなり、薄膜化しにくくなる。【解決手段】 本発明は、イオンビーム111を試料表面に照射すると同時に電子ビーム115を照射することによって、イオンビームの正電荷による帯電を中和することによって絶縁性の材料であっても帯電を生じさせることなくイオンビームによるイオン衝撃を継続させて試料を削ることができる。また、イオンビームの照射されている試料近傍に磁界を圧着することによって、イオン・電子にサイクロイド運動を生じさせることによって、電離イオン数を増大させて高速でイオンミリングを行うものである。また、イオンミリングによって試料の形状が変化して行く様子を画像入力装置によって取込み、パーソナルコンピュータ上に表示し、画像上の特定の位置の光強度を感知して、I/Oポートを介して、イオンガンの印加電圧を停止させるものである。
請求項（抜粋）：
薄膜試料作製のためのイオンミリング装置において、電子銃を有することを特徴とするイオンミリング装置。
IPC (5件)：
G01N 1/28
, B23K 15/00 504
, B23K 15/00 508
, G01N 1/32
, H01J 37/305
G01N 1/28 G
, B23K 15/00 504 D
, B23K 15/00 508
, G01N 1/32 B
, H01J 37/305 Z
, G01N 1/28 F
