特許

J-GLOBAL ID：201403089498911702

配線構造、配線の形成方法及び再構築ウェーハ

発明者： 土手 暁
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 土井 健二 ,  林 恒徳 ,  眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-002618
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135385
出願日： 2013年01月10日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
要約：

【課題】 配線構造、配線の形成方法及び再構築ウェーハに関し、導電性残渣に影響されない信頼性の高い微細配線構造を提供する。【解決手段】 絶縁膜上に密着層及びめっきシード層を介してCuを最大成分とするCu系配線を電解めっきにより形成したのち、めっきシード層を除去する工程で発生した導電性残渣を、密着層の露出部を酸化する工程で酸化して、洗浄処理により除去する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、 前記絶縁膜上に密着層を介して設けられたCuを最大成分とするCu系配線と 前記Cu系配線の間の前記絶縁膜上に設けられた前記密着層の自己酸化物からなる酸化物層と、 前記密着層と接する面以外の前記Cu系配線の表面に設けられたCuに対する拡散防止膜と を有することを特徴とする配線構造。

IPC (6件)：

H01L 23/12 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/52 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/06

FI (5件)：

H01L23/12 N ,  H01L25/04 Z ,  H01L23/52 D ,  H05K3/46 B ,  H05K3/06 C

Fターム (43件)：

5E316AA02 ,  5E316AA15 ,  5E316AA32 ,  5E316AA43 ,  5E316CC08 ,  5E316CC09 ,  5E316CC10 ,  5E316CC13 ,  5E316CC32 ,  5E316CC34 ,  5E316CC54 ,  5E316DD17 ,  5E316DD24 ,  5E316DD33 ,  5E316HH08 ,  5E339AB02 ,  5E339AC01 ,  5E339AD05 ,  5E339BD01 ,  5E339BD08 ,  5E339CE11 ,  5E339CE12 ,  5E339CF16 ,  5E339CF17 ,  5E339CG04 ,  5E339EE01 ,  5E339EE05 ,  5E339GG02 ,  5E346AA02 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC13 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC54 ,  5E346DD17 ,  5E346DD24 ,  5E346DD33 ,  5E346HH08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-130840   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 特開昭48-011238