特許
J-GLOBAL ID：201403089501799277
パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-077825
公開番号（公開出願番号）：特開2014-204534
出願日： 2013年04月03日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：
【課題】半導体スイッチング素子と平滑コンデンサとの間の配線長を短くし、その配線から発生するノイズを低減することができるパワーモジュールを提供する。【解決手段】パワーモジュール1は、FET21が実装され導電性金属からなる配線パターン23を樹脂24でインサート成形したインバータモジュール2と、平滑コンデンサ3と、を備え、インバータモジュール2は、貫通し配線パターン23によりFET21に電気的に接続される貫通孔26を有し、平滑コンデンサ3は、そのリード線が貫通孔26に挿入され、リード線31と貫通孔26とが半田付けされ、FET21に電気的に接続される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体スイッチング素子と平滑コンデンサとを有するインバータ回路により構成されるパワーモジュールであって、
前記パワーモジュールは、
前記半導体スイッチング素子が実装され導電性金属からなる配線パターンを樹脂でインサート成形し、前記配線パターンから延在し成形した成形基板の端部から突出する入出力端子を有するインバータモジュールと、
前記平滑コンデンサと、を備え、
前記インバータモジュールは、前記成形基板を貫通し前記配線パターンにより前記半導体スイッチング素子に電気的に接続される貫通孔を有し、
前記平滑コンデンサは、そのリード線が前記貫通孔に挿入され、前記リード線と前記貫通孔とが半田付けされ、前記半導体スイッチング素子に電気的に接続されることを特徴とするパワーモジュール。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5H007AA01
, 5H007BB06
, 5H007CA02
, 5H007CB05
, 5H007CC23
, 5H007HA03
, 5H007HA04
, 5H007HA05
