特許
J-GLOBAL ID：201403089592692445
表面処理装置およびその処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 美馬 保彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-268457
公開番号（公開出願番号）：特開2014-114474
出願日： 2012年12月07日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：
【課題】エッチング時の廃液量を抑えるとともに、基板の所望の表面領域をより安価かつ簡易的にエッチングすることができる表面処理方法を提供する。【解決手段】基板Bの金属表面(エッチング領域f1)を電気分解によりエッチングする表面処理方法であって、表面処理方法において、陽極12と陰極11との間に電解液Lを含有した固体電解質膜13を配置し、固体電解質膜13を基板Bの金属表面に接触させると共に、陽極12を基板Bの少なくとも金属表面に導通させ、陽極12と陰極11との間に電圧を印加することにより、基板Bの金属表面の金属を金属イオンにイオン化させて、基板Bの金属表面をエッチングする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の金属表面を電気分解によりエッチングする表面処理方法であって、
該表面処理方法において、陽極と陰極との間に電解液を含有した固体電解質膜を配置し、該固体電解質膜を前記基板の金属表面に接触させると共に、前記陽極を前記基板の少なくとも金属表面に導通させ、前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加することにより、前記基板の金属表面の金属を金属イオンにイオン化させて、前記基板の金属表面をエッチングすることを特徴とする表面処理方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (7件)
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特公昭49-037011
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特開昭60-063400
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特開平2-182893
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