特許

J-GLOBAL ID：201403092354827325

パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス

発明者： 滝沢 裕雄 ,  平野 修史
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (3件)： 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-094403
公開番号（公開出願番号）：特開2014-215541
出願日： 2013年04月26日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：

【課題】線幅50nm以下の微細なパターン形成において、感度、解像力、LWR、及びパターン形状を損なうことなく、ブロッブ欠陥を低減し、特に、アウトガス発生の抑制に優れるパターン形成方法、組成物キット、それを用いたレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。【解決手段】(ア)(A)酸の作用により分解して現像液に対する溶解性が変化する樹脂と、(C)フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、少なくとも1個のアルキル基で置換された芳香環基、及び少なくとも1個のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される1つ以上の基を有する樹脂とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に膜を形成する工程、 (イ)前記膜上に、樹脂(T)を含有するトップコート組成物を用いてトップコート層を形成する工程、 (ウ)前記トップコート層を有する前記膜を活性光線又は放射線を用いて露光する工程、及び (エ)前記露光後、前記トップコート層を有する前記膜を現像してパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(ア)(A)酸の作用により分解して現像液に対する溶解性が変化する樹脂と、(C)フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、少なくとも1個のアルキル基で置換された芳香環基、及び少なくとも1個のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される1つ以上の基を有する樹脂とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて基板上に膜を形成する工程、 (イ)前記膜上に、樹脂(T)を含有するトップコート組成物を用いてトップコート層を形成する工程、 (ウ)前記トップコート層を有する前記膜を活性光線又は放射線を用いて露光する工程、及び (エ)前記露光後、前記トップコート層を有する前記膜を現像してパターンを形成する工程 を有するパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28

FI (7件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/11 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 575 ,  C08F20/28

Fターム (98件)：

2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF20P ,  2H125AF34P ,  2H125AF35P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH08 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ43Y ,  2H125AJ45X ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ48Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ70Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM12N ,  2H125AM12P ,  2H125AM15N ,  2H125AM22N ,  2H125AM22P ,  2H125AM23N ,  2H125AM23P ,  2H125AM27N ,  2H125AM27P ,  2H125AM32N ,  2H125AM53N ,  2H125AM58N ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM91N ,  2H125AM99P ,  2H125AN11N ,  2H125AN12N ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN57P ,  2H125AN61N ,  2H125AN62P ,  2H125AN63P ,  2H125AN65P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125AP01N ,  2H125BA01N ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD11P ,  2H125CD35 ,  2H125DA01 ,  4J100AB07P ,  4J100AE09P ,  4J100AL08P ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BA72P ,  4J100BA80P ,  4J100BA81P ,  4J100BB07P ,  4J100BB12P ,  4J100BB17P ,  4J100BB18P ,  4J100BC01P ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC43P ,  4J100BC53P ,  4J100JA38 ,  5F146PA19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法及びレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-134378   出願人：信越化学工業株式会社
• アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-058739   出願人：信越化学工業株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-192545   出願人：富士フイルム株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-131381   出願人：富士フイルム株式会社