特許
J-GLOBAL ID：201403093220971477

炭化珪素半導体装置の検査方法

発明者：
山本 泰己

山本 泰己 について

, 
山本 茂久

山本 茂久 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-158643
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022503
出願日： 2012年07月17日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：
【課題】積層欠陥の検出によって炭化珪素半導体ウェハの良品および不良品の選別を精度よく行うことができる炭化珪素半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】SiCドリフト層をエピタキシャル成長させる工程S1と、SiCドリフト層表面にマーカーを形成する工程S2と、マーカーを形成したSiCドリフト層上に、炭化珪素のバンドギャップエネルギーよりも大きなエネルギーの紫外光を照射する工程S3と、紫外光を照射したSiCドリフト層において、積層欠陥を、マーカーに基づく位置情報とともに検出する工程S4と、積層欠陥が検出された位置情報に基づいて、SiCウェハの良品および不良品の選別を行う工程S5とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)炭化珪素半導体ウェハ上に、炭化珪素ドリフト層をエピタキシャル成長させる工程と、 (b)前記炭化珪素ドリフト層表面にマーカーを形成する工程と、 (c)前記マーカーを形成した前記炭化珪素ドリフト層上に、前記炭化珪素のバンドギャップエネルギーよりも大きなエネルギーを有する紫外光を照射する工程と、 (d)前記紫外光を照射した前記炭化珪素ドリフト層において、積層欠陥を、前記マーカーに基づく位置情報とともに検出する工程と、 (e)前記積層欠陥が検出された位置情報に基づいて、前記炭化珪素半導体ウェハの良品および不良品の選別を行う工程とを備えることを特徴とする、 炭化珪素半導体装置の検査方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (1件)：
H01L21/66 N
Fターム (3件)：
4M106AA01 ,  4M106BA07 ,  4M106CB19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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