特許
J-GLOBAL ID：201403095518050385
イメージセンサーの単位画素及びその受光素子
出願人/特許権者：
代理人 (2件)： ▲吉▼川 俊雄 , 市川 寛奈
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-528274
公開番号（公開出願番号）：特表2014-527307
出願日： 2012年08月29日
公開日（公表日）： 2014年10月09日
要約：
イメージセンサーの単位画素及び受光素子が提供される。光を吸収する受光素子は、一定角度のV型溝が形成される基板と、前記V型溝の上部にフローティングした構造で形成され、光が入射する受光部と、前記受光部と前記V型溝との間に形成され、トンネリングが発生する酸化膜と、前記V型溝の一側の傾斜面に前記酸化膜と隣接して形成され、前記酸化膜を境界にして前記受光部と離隔されるソースと、前記V型溝の他側の傾斜面に前記酸化膜と隣接して形成され、前記酸化膜を境界にして前記受光部と離隔されるドレインと、前記ソースとドレインとの間に前記V型溝に沿って形成され、前記ソースとドレインとの間に電流の流れを形成するチャンネルと、を含み、前記受光部は第1型の不純物でドープされ、前記ソース及び前記ドレインは第2型の不純物でドープされ、前記受光部は、前記酸化膜により前記ソース及び前記ドレインから絶縁され、 前記受光部に入射した光により前記受光部で電子-正孔対(EHP)が生成され、前記ソースまたはドレインのうち一つ以上と前記受光部との間に、前記酸化膜での集中した電界によるトンネリングが発生し、前記電子-正孔対の電子は、前記トンネリングにより前記受光部から前記ソースまたはドレインのうち一つ以上に放出され、前記電子の放出による前記受光部の電荷量の変化によって前記チャンネルの電流の流れが制御される。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
受光した光を電気的信号に変換するイメージセンサーの単位画素において光を吸収する受光素子であって、
一定角度のV型溝が形成される基板と、
前記V型溝の上部にフローティングした構造で形成され、光が入射する受光部と、
前記受光部と前記V型溝との間に形成され、トンネリングが発生する酸化膜と、
前記V型溝の一側の傾斜面に、前記酸化膜と隣接して形成され、前記酸化膜を境界にして前記受光部と離隔されるソースと、
前記V型溝の他側の傾斜面に前記酸化膜と隣接して形成され、前記酸化膜を境界にして前記受光部と離隔されるドレインと、
前記ソースと前記ドレインとの間に前記V型溝に沿って形成され、前記ソースとドレインとの間に電流の流れを形成するチャンネルと、
を含み、
前記受光部は第1型の不純物でドープされ、前記ソース及び前記ドレインは第2型の不純物でドープされ、
前記受光部は、前記酸化膜により前記ソース及び前記ドレインから絶縁され、
前記受光部に入射した光により前記受光部で電子-正孔対(EHP)が生成され、前記ソースまたはドレインのうち一つ以上と前記受光部との間に、前記酸化膜での集中した電界によるトンネリングが発生し、前記電子-正孔対の電子は、前記トンネリングにより前記受光部から前記ソースまたはドレインのうち一つ以上に放出され、前記電子の放出による前記受光部の電荷量の変化によって前記チャンネルの電流の流れが制御される、光を吸収する受光素子。
IPC (3件)：
FI (3件)：
Fターム (27件)：
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA01
, 4M118CA02
, 4M118CA09
, 4M118CA32
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GY31
, 5C024HX40
, 5C024HX50
, 5F088AA20
, 5F088AB03
, 5F088BA01
, 5F088BB03
, 5F088CB14
, 5F088EA04
, 5F088EA06
, 5F088GA04
, 5F088HA20
, 5F088LA03
引用特許：
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