特許
J-GLOBAL ID:201403095786284518
正のゼータ電位を有するポリスチレン粒子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-136569
公開番号(公開出願番号):特開2014-001290
出願日: 2012年06月18日
公開日(公表日): 2014年01月09日
要約:
【課題】表面の孔の形成が抑制された中空の無機酸化物微粒子の製造に好適に用いることができる、正のゼータ電位を有するポリスチレン粒子を製造する製造方法を提供する。【解決手段】カチオン性重合開始剤と、スチレンモノマーと、溶媒とを含む溶液中で、前記スチレンモノマーの重合反応を行うことを特徴とする正のゼータ電位を有するポリスチレン粒子の製造方法。カチオン性重合開始剤は、過酸化ベンゾイル、2,2’-アゾビス(イソブチルアミジン)ジヒドロクロライド、4,4’-アゾビス-4-シアノバレリックアシッド、アゾビスイソブチロニトニル、及び2,2’-アゾビス(2-メチルプロピオアミド)ジヒドロクロライドからなる群より選択される少なくとも1種である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
カチオン性重合開始剤と、スチレンモノマーと、溶媒とを含む溶液中で、前記スチレンモノマーの重合反応を行う、
ことを特徴とする正のゼータ電位を有するポリスチレン粒子の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (11件):
4J015AA01
, 4J015AA04
, 4J015AA05
, 4J015BA06
, 4J100AB02P
, 4J100CA01
, 4J100DA36
, 4J100EA05
, 4J100EA09
, 4J100FA03
, 4J100FA19
引用特許:
引用文献: