特許

J-GLOBAL ID：201403096841049937

新規な終端部およびチップと基板との間の連結部

発明者： ドロール フルウィッツ ,  アレックス フアン
出願人/特許権者： ツーハイ アドバンスド チップ キャリアーズ アンド エレクトロニック サブストレート ソリューションズ テクノロジーズ カンパニー リミテッド
代理人 (2件)： ▲吉▼川 俊雄 ,  市川 寛奈
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-222634
公開番号（公開出願番号）：特開2014-239200
出願日： 2013年10月25日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：

【課題】チップを半田マスクのような誘電体内に埋め込まれたビア柱を備える外側層を備えた基板に取り付ける方法。【解決手段】ビア柱306の端部が前記誘電体202と同一平面上にあり、この方法が以下のステップ、すなわち:(o)任意選択で有機ニスを除去するステップ、(p)ビア柱306の露出端と接触する半田バンプ105によって終端されるレッグ102を有するチップ100を配置するステップおよび(q)半田バンプ105を溶解して半田によってビアの端部を濡らすために熱を加えるステップを含む方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

XY平面内に延在する少なくとも一対のフィーチャ層を備える多層複合電子構造体であって、フィーチャ層の各隣接する対が内側ビア層によって隔てられ、前記ビア層が前記XY平面に対して垂直なZ方向に隣接するフィーチャ層を連結するビア柱を備え、前記ビア柱が内側層誘電体内に埋め込まれ、前記ビア柱の外側層の端部を露出させるために薄くされる外側誘電材料内に埋め込まれたビア柱の外側層からなる終端部を更に備える多層複合構造体。

IPC (6件)：

H05K 3/34 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60 ,  H05K 3/32 ,  H05K 3/28 ,  H05K 1/18

FI (7件)：

H05K3/34 501E ,  H01L23/12 N ,  H01L21/60 311S ,  H01L23/12 F ,  H05K3/32 B ,  H05K3/28 B ,  H05K1/18 L

Fターム (22件)：

5E314AA24 ,  5E314BB01 ,  5E314CC01 ,  5E314FF05 ,  5E314GG24 ,  5E319AA03 ,  5E319AB06 ,  5E319AC11 ,  5E319BB04 ,  5E319BB16 ,  5E319CC12 ,  5E319CC33 ,  5E319GG15 ,  5E319GG20 ,  5E336AA04 ,  5E336CC31 ,  5E336EE03 ,  5E336EE08 ,  5E336GG30 ,  5F044KK07 ,  5F044KK12 ,  5F044KK16

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 配線基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-193867   出願人：京セラSLCテクノロジー株式会社
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205746   出願人：京セラSLCテクノロジー株式会社
• 配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-179407   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-266808   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 新規の集積回路支持構造体およびその製造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-535188   出願人：アミテックアドバンスドマルチレイヤーインターコネクトテクノロジーズリミテッド
• 配線板と、その配線板を用いた多層配線基板と、その多層配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-289722   出願人：ソケットストレート,インコーポレイテッド
• 配線基板及び配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-344918   出願人：日本特殊陶業株式会社