光変復調デバイス

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：岡田賢治 , 今下勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-036421
公開番号（公開出願番号）：特開2014-164195
出願日： 2013年02月26日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：

【課題】本発明は、グラフェンを利用してテラヘルツの周波数領域で動作する光変復調デバイスの変復調効率の向上を目的とする。【解決手段】本発明は、光導波路と、第一のグラフェン層と第二のグラフェン層とで絶縁膜を挟みこんだグラフェン二重層と、前記第一のグラフェン層の一端に接続された第一の金属電極と、前記第二のグラフェン層の一端に接続された第二の金属電極と、を備える光変復調デバイスであって、前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方は、前記光導波路における伝搬光の電界にて光励起キャリアが生成されるように配置され、前記絶縁膜は、前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方で生成された光励起キャリアが前記絶縁膜を透過して他方に注入される材料で構成されていることを特徴とする光変復調デバイスである。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

光導波路と、第一のグラフェン層と第二のグラフェン層とで絶縁膜を挟みこんだグラフェン二重層と、前記第一のグラフェン層の一端に接続された第一の金属電極と、前記第二のグラフェン層の一端に接続された第二の金属電極と、を備える光変復調デバイスであって、前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方は、前記光導波路における伝搬光の電界にて光励起キャリアが生成されるように配置され、前記絶縁膜は、前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方で生成された光励起キャリアが前記絶縁膜を透過して他方に注入される材料で構成されていることを特徴とする光変復調デバイス。

IPC (4件)：

G02F 1/025 , H01L 29/66 , H01L 29/06 , G02F 2/00

FI (5件)：

G02F1/025 , H01L29/66 L , H01L29/06 601N , G02F2/00 , H01L29/66 T

Fターム (14件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA04 , 2H079DA16 , 2H079EA03 , 2H079EB05 , 2H079HA15 , 2K002AA02 , 2K002AB19 , 2K002CA13 , 2K002DA06 , 2K002EB02 , 2K002GA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

グラフェンを利用した光変調器
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-224212 出願人：三星電子株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

"Vertical field-effect transistor based on graphene-WS2 heterostructures for flexible and transparen

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