特許

J-GLOBAL ID：201403098406387262

薄膜型ヒューズの製造方法と薄膜型ヒューズ

発明者： 辻岡 強
出願人/特許権者： 国立大学法人 大阪教育大学
代理人 (1件)： 特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-163886
公開番号（公開出願番号）：特開2014-026738
出願日： 2012年07月24日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：

【課題】高感度、小型のヒューズ、低コストで大量生産が可能な薄膜型ヒューズを提供する。【解決手段】ガラス基板1にフォトクロミック材料(DAE2)の蒸着膜を成膜し、紫外線で着色化しDAE2着色膜3を得た。DAE2着色膜3に赤色レーザーを照射し、幅10μmのDAE2消色膜6を形成した後、DAE2消色膜6に紫レーザーを20μm幅で照射しDAE2再着色膜9を得た。DAE2着色膜3、DAE2消色膜6、DAE2再着色膜9の上に金属鉛を蒸着すると、DAE2着色膜3およびDAE2再着色膜9の上にのみ金属鉛蒸着膜11および12が成膜された。この金属鉛薄膜を所定の大きさに切断し、一対の金属鉛蒸着膜11から他方の金属鉛蒸着膜11に電圧を印加すると、溶断電流で鉛溶断痕14および15が生じ、金属鉛蒸着膜11間は遮断されるヒューズが得られた。【選択図】図4A

請求項（抜粋）：

刺激の付与により第1の安定状態と第2の安定状態とを取り得る有機化合物を絶縁性の基板の上に薄膜形成する成膜ステップと、 前記刺激を前記有機化合物に付与し、前記第1の安定状態および第2の安定状態の何れかに化学構造を変換する変換ステップと、 前記基板を加熱し、真空の雰囲気中で金属を蒸着する金属蒸着ステップとを有する薄膜型ヒューズの製造方法。

IPC (3件)：

H01H 69/02 ,  H01H 85/046 ,  H01H 85/02

FI (3件)：

H01H69/02 ,  H01H85/046 ,  H01H85/02 S

Fターム (4件)：

5G502BA08 ,  5G502BB13 ,  5G502CC03 ,  5G502JJ01