特許
J-GLOBAL ID:201403098504806079
静電容量型トランスデューサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
加藤 一男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-151940
公開番号(公開出願番号):特開2014-017566
出願日: 2012年07月06日
公開日(公表日): 2014年01月30日
要約:
【課題】周波数帯域を広く、送受信感度を高くすることができる静電容量型トランスデューサを提供する。【解決手段】静電容量型トランスデューサは、第1の電極と、間隙を挟んで第1の電極と対向する第2の電極を含む振動膜と、振動膜を支持する支持部と、で構成されるセルと、電極間に電圧を印加する電圧印加手段を有する。セルとして、第1のばね定数を有する振動膜8を含む第1のセル12と、第1のばね定数より小さい第2のばね定数を有する振動膜16を含む第2のセル19を有し、第1のセル12の第1の電極4と第2の電極8との間の距離が、第2のセル19の第1の電極13と第2の電極14との間の距離より短い。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の電極と、間隙を挟んで前記第1の電極と対向する第2の電極を含む振動膜と、前記間隙が形成されるように前記振動膜を支持する支持部と、で構成されるセルと、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、
を有する静電容量型トランスデューサであって、
前記セルとして、第1のばね定数を有する前記振動膜を含む第1のセルと、前記第1のばね定数より小さい第2のばね定数を有する前記振動膜を含む第2のセルと、を有し、
前記第1のセルの第1の電極と第2の電極との間の距離が、前記第2のセルの第1の電極と第2の電極との間の距離より短いことを特徴とする静電容量型トランスデューサ。
IPC (5件):
H04R 19/00
, H04R 31/00
, H04R 3/00
, B81B 3/00
, B81C 1/00
FI (5件):
H04R19/00 330
, H04R31/00 330
, H04R3/00 330
, B81B3/00
, B81C1/00
Fターム (9件):
3C081AA01
, 3C081BA45
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081BA76
, 3C081CA03
, 3C081EA24
, 5D019DD01
, 5D019HH01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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