特許
J-GLOBAL ID：201403099493480938

カーボンナノ接合導電材料基板の製造方法、およびカーボンナノ接合導電材料基板の製造装置

発明者：
森原 典史

森原 典史 について

, 
井上 鉄也

井上 鉄也 について


出願人/特許権者：
日立造船株式会社

日立造船株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人森本国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267748
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116117
出願日： 2012年12月07日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：
【課題】電極として用いられた場合の電気抵抗を十分に低減し得るカーボンナノ接合導電材料基板を、生産性よく製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のカーボンナノ接合導電材料基板4の製造方法は、成長用基板1の表面に垂直配向性を有するカーボンナノチューブ2を成長させた後、該カーボンナノチューブの先端を、表面に凹凸部を有する転着用導電基板3に対して略垂直方向に接触させ、次いで加圧するか、または加圧するとともに揺動することにより、該カーボンナノチューブ2を該成長用基板1から該転着用導電基板3に転着させることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
カーボンナノ接合導電材料基板の製造方法であって、成長用基板の表面に垂直配向性を有するカーボンナノチューブを成長させた後、該カーボンナノチューブの先端を、表面に凹凸部を有する転着用導電基板に対して略垂直方向に接触させ、次いで加圧するか、または加圧するとともに揺動することにより、該カーボンナノチューブを該成長用基板から該転着用導電基板に転着させることを特徴とするカーボンナノ接合導電材料基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01B 13/00 ,  C01B 31/02 ,  B82Y 40/00
FI (3件)：
H01B13/00 501Z ,  C01B31/02 101F ,  B82Y40/00
Fターム (36件)：
4G146AA11 ,  4G146AC03B ,  4G146AD05 ,  4G146AD17 ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CB01 ,  4G146CB03 ,  4G146CB19 ,  4G146CB33 ,  4G146CB34 ,  4G146CB39 ,  4G146DA07 ,  4G146DA42 ,  5H050AA12 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CB07 ,  5H050DA03 ,  5H050DA04 ,  5H050DA11 ,  5H050EA02 ,  5H050EA23 ,  5H050GA03 ,  5H050GA21 ,  5H050GA24 ,  5H050GA29
引用特許：
審査官引用 (6件)
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