特許

J-GLOBAL ID：201403099830744187

窒化物半導体発光素子

発明者： 三好 晃平 ,  月原 政志
出願人/特許権者： ウシオ電機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-115796
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236070
出願日： 2013年05月31日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
要約：

【課題】ITOやNiといった材料で形成されるコンタクト電極を用いることなく、従来の窒化物半導体発光素子と同等のコンタクト特性を有する窒化物半導体発光素子を実現する。【解決手段】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、p型窒化物半導体層に接触して、p型窒化物半導体層よりも高濃度で第1不純物材料がドープされた窒化物半導体層で構成された第1コンタクト層と、第1コンタクト層に接触して、Zn、Cd、Be、Sr、Ca及びCのいずれか1種以上の第2不純物材料がドープされた、AlXGaYInZN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)で構成された第2コンタクト層を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、 前記p型窒化物半導体層に接触して、前記p型窒化物半導体層よりも高濃度で第1不純物材料がドープされた窒化物半導体層で構成された第1コンタクト層と、 前記第1コンタクト層に接触して、Zn、Cd、Be、Sr、Ca及びCのいずれか1種以上の第2不純物材料がドープされた、AlXGaYInZN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)で構成された第2コンタクト層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/04 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 110 ,  H01L33/00 186

Fターム (18件)：

5F141AA04 ,  5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA48 ,  5F141CA53 ,  5F141CA58 ,  5F141CA65 ,  5F141CA73 ,  5F141CA77 ,  5F141CA83 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB13 ,  5F141CB15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-010346   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-364012   出願人：日亜化学工業株式会社