特許
J-GLOBAL ID：200903014056262047
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364012
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335757
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 1又は多層のn型窒化物半導体層と1又は多層のp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層及び前記n型窒化物半導体層の内の少なくとも一つは超格子層であって、前記超格子層は、100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第1の層と、該第1の層と組成が異なりかつ100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第2の層とが積層されている。
請求項（抜粋）：
1又は多層のp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層を介してキャリアが注入されて所定の動作をする窒化物半導体からなる活性層とを備えた窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層の少なくとも一つは超格子層であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (10件)
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