物質導入方法およびその装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平井安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-120148
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236679
出願日： 2013年06月06日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：

【課題】電気穿孔法を用いて、電気的ダメージを抑制して導入物質を対象細胞に導入する物質導入方法を提供する。【解決手段】対象細胞の内部に導入物質を導入する物質導入方法は、正負に極性が変化する間に一定電位値レベルを所定時間維持してなる非対称の基準パルスが同一周期で繰り返されるバーストパルスを、導入物質を含有する溶液中に浸漬された対象細胞に対して、印加するバーストパルス印加工程と、前記バーストパルス印加工程による印加後、前記対象細胞に対して、前記バーストパルスを構成する基準パルスよりも高電圧且つ短時間の高電圧パルスを、1オン時間分印加する高電圧パルス印加工程とを含み、電気的ダメージを抑制して導入物質を対象細胞に導入する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対象細胞の内部に導入物質を導入する物質導入方法において、正負に極性が変化する間に一定電位値レベルを所定時間維持してなる非対称の基準パルスが同一周期で繰り返されるバーストパルスを、導入物質を含有する溶液中に浸漬された対象細胞に対して、印加するバーストパルス印加工程と、前記バーストパルス印加工程による印加後、前記対象細胞に対して、前記バーストパルスを構成する基準パルスよりも高電圧且つ短時間の高電圧パルスを、1オン時間分印加する高電圧パルス印加工程とを含むことを特徴とする物質導入方法。

IPC (2件)：

C12M 1/42 , C12N 15/09

FI (2件)：

C12M1/42 , C12N15/00 A

Fターム (5件)：

4B024AA20 , 4B024CA01 , 4B024GA14 , 4B029AA24 , 4B029BB11

引用特許：

出願人引用 (4件)

生体外遺伝子治療のためのフロースルー電気穿孔システム
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-551845 出願人：ジェネトロニクスインコーポレーテッド
電気パルスを発生するための装置および該装置を使用する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-521152 出願人：イースタンバージニアメディカルスクール, オールドドミニオンユニバーシティー
特開平1-141584

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引用文献：

出願人引用 (2件)

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