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J-GLOBAL ID：201502200973850937   整理番号：15A0812640

電気化学堆積CU_xZn_yS薄膜の熱処理

Effects of annealing on properties of electrochemically deposited Cu_xZn_yS thin films

著者 (2件)： TONG Bayingaerdi (名古屋工大) ,  市村正也 (名古屋工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 65(SDM2015 18-37)  ページ： 77-80  発行年： 2015年05月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Cu_xZn_ySはp型で透明な半導体である。本研究では電気化学堆積法によりCu_xZn_yS薄膜を作製し,硫黄雰囲気でのアニールによる特性の変化を調べた。アニール前の試料はアモルファスで,組成はCu:Zn:S:O=0.03:0.29:0.57:0.11であった。400°C,1hのアニール後には,XRDおよびRaman測定によりZnS相の観察ができた。アニール前はp型の伝導性を示したが,400°Cアニール後は明確にはp型伝導性を示さなくなった。これらの結果より,Cu_xZn_ySは準安定な相で,アニールによりZnSとCuを含む相に分離すると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *電着 ,  液相成長 ,  熱処理 ,  *焼なまし ,  透明材料 ,  硫化亜鉛 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： *アニール ,  *電気化学堆積

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• M. A. Yildirim, A. Aytunc, A. Aykut, Annealing and light effect on structural, optical and electrical properties of CuS, CuZnS and ZnS thin films grown by the SILAR method, Physica E, 41 (2009) 1365.
• K. Yang, M. Ichimura, Fabrication of transparent p-type Cu_xZn_yS thin films by the electrochemical deposition method, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 040202.
• K. Yang, Y. Nakashima, M. Ichimura, Electrochemical deposition of Cu_xS and Cu_xZn_yS thin films with p-type conduction and photosensitivity, J. Electrochem. Soc. 159 (2012) H250.
• Mandula, K. Yang, M. Ichimura, Photochemical deposition of p-type transparent alloy semiconductor Cu_xZn_yS, Semicond. Sci. Technol. 27 (2012) 125007.
• A. M. Diamond, L. Corbellini, K. R. Balasubramaniam, S. Chen, S. Wang, T. S. Matthews, L.-W. Wang, R. Ramesh, J. W. Ager, Copper-alloyed ZnS as a p-type transparent conducting material, Phys. Status Solidi A 209 (2012) 2101.

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気化学堆積 ,  薄膜 ,  熱処理