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J-GLOBAL ID：201502201413525734   整理番号：15A0647937

柔軟なInGaZnO薄膜トランジスタの曲げ性能およびバイアス安定性の向上および塑性ポリ(エチレンナフタレート)基板の最適な障壁構造

Improvements in the bending performance and bias stability of flexible InGaZnO thin film transistors and optimum barrier structures for plastic poly(ethylene naphthalate) substrates

著者 (10件)： PARK Min-Ji (Dep. of Advanced Materials Engineering for Information & Electronics, Kyung Hee Univ., Yongin, Gyeonggi-do 446-701 ...) ,  YUN Da-Jeong ,  RYU Min-Ki ,  YANG Jong-Heon ,  PI Jae-Eun ,  KWON Oh-Sang ,  KIM Gi Heon ,  HWANG Chi-Sun ,  BAK Jun-Yong ,  YOON Sung-Min
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 18  ページ： 4779-4786  発行年： 2015年05月14日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質ガリウム亜鉛酸化物薄膜トランジスタ(TFT)を製造し,柔軟なポリ(エチレンナフタレート)(PEN)基板上でキャラクタリゼーションを行った。ハイブリッド無機/有機二層障壁層構造を,3μmの厚さをスピンコーティングされた有機層と50nmの厚みの原子層を蒸着されたAl₂O₃無機層から成るPEN基板の浸透率及び表面粗さを促進するために提案した。提案されたハイブリッド障壁構造を有するPEN基板上のTFTの飽和移動度,サブ閾値スイングおよびオン/オフ比率は,それぞれ約15.5cm²V^-1s^-1,0.2V dec^-1および2.2×10⁸であることが分かった。これらの良好なTFT性能は,曲率半径3.3mm での機械的な曲げ状態,更には繰り返し曲げサイクル後でも低下しなかった。更に,TFTのターンオン電圧の変動を評価したが,負および正のバイアス応力試験下で,それぞれ,おおよそ-0.1および+1.6Vと小さいものであった。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 柔軟性 ,  非晶質 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  *曲げ強さ ,  *バイアス ,  *安定性 ,  *ポリエチレンナフタレート ,  基板 ,  最適化 ,  *障壁 ,  構造 ,  複合構造 ,  厚み ,  スピンコーティング ,  層 ,  原子 ,  蒸着 ,  アルミナ ,  浸透率 ,  表面粗さ ,  移動度 ,  閾値 ,  比率 ,  スイッチング ,  性能 ,  半径 ,  原子間力顕微鏡 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ハイブリッド構造 ,  曲率半径 ,  原子層 ,  厚さ ,  酸化物薄膜 ,  有機層

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  ポリエステル,アルキド  (YH07070P)

タイトルに関連する用語 (6件)： トランジスタ ,  曲げ ,  バイアス ,  安定性 ,  塑性 ,  障壁