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J-GLOBAL ID：201502201552938296   整理番号：15A0613285

時間領域の電荷ポンピング電流の精度評価

Evaluation of Accuracy of Charge Pumping Current in Time Domain

著者 (5件)： WATANABE Tokinobu (Univ. of Toyama) ,  HORI Masahiro (Univ. of Toyama) ,  SARUWATARI Taiki (Univ. of Toyama) ,  TSUCHIYA Toshiaki (Shimane Univ.) ,  ONO Yukinori (Univ. of Toyama)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E98.C  号： 5  ページ： 390-394 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面欠陥特性の解析法;時間領域の電荷ポンピング法,の精度を評価した。この方法は時間領域の電荷ポンピング(CP)電流を監視するものであり,界面状態特性を調べる貴重な方法となることを期待した。この方法の精度評価の目的で,時間領域のデータから抽出した界面状態密度を従来のCP法と比較した。その結果は,両者が種々の欠陥密度のすべての測定素子で一致しており,時間領域のCP法が欠陥密度の評価法として十分な精度であることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 励起 ,  信号特性 ,  欠陥 ,  MOSFET ,  欠陥密度 ,  精度 ,  電流 ,  *状態密度 ,  界面状態密度 ,  時間領域
準シソーラス用語： 界面欠陥 ,  界面状態 ,  *精度評価 ,  *電荷ポンピング

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (30件)：

• [1] J. S. Brugler and P. G. A. Jespers, “Charge pumping in MOS devices,” IEEE Trans. Electron. Dev., vol.16, no.3, pp.297–302, Mar. 1969.
• [2] G. Groeseneken, H. E. Maes, N. Beltran, and R. F. De Keersmaecker, “A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors,” IEEE Trans. Electron. Dev., vol.31, no.1, pp.42–53, Jan. 1984.
• [3] G. Ghibaudo and N. S. Saks, “A time domain analysis of the charge pumping current,” J. Appl. Phys., vol.64, no.9, pp.4751–4754, Nov. 1988.
• [4] G. Ghibaudo and N. S. Saks, “Investigation of the charge pumping current in metal-oxide-semiconductor structures,” J. Appl. Phys., vol.65, no.11, pp.4311–4318, June 1989.
• [5] M. G. Ancona, N. S. Saks, and D. McCarthy, “Lateral distribution of hot-carrier-induced interface traps in MOSFETs,” IEEE Trans. Electron. Dev., vol.35, no.12, pp.2221–2228, Dec. 1988.

タイトルに関連する用語 (3件)： 時間領域 ,  電荷ポンピング ,  精度評価