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J-GLOBAL ID：201502201748308593   整理番号：15A1085373

パルスレーザ堆積法により成長したVO₂(B)薄膜の半導体-絶縁体転移

Semiconductor-insulator transition in VO₂ (B) thin films grown by pulsed laser deposition

著者 (4件)： RUA Armando (Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA) ,  DIAZ Ramon D. (Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA) ,  LYSENKO Sergiy (Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA) ,  FERNANDEZ Felix E. (Dep. of Physics, Univ. of Puerto Rico, Mayagueez, Puerto Rico 00681-9000, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 118  号： 12  ページ： 125308-125308-10  発行年： 2015年09月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *パルスレーザ蒸着 ,  薄膜成長 ,  *酸化バナジウム ,  *薄膜 ,  *相転移 ,  相 ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  結晶面 ,  温度 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  電気伝導率 ,  熱サイクル ,  ホッピング伝導 ,  ヒステリシス ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折
準シソーラス用語： B相 ,  ガラス基板 ,  *二酸化バナジウム ,  温度サイクル ,  酸化物薄膜 ,  成長温度 ,  *半導体-絶縁体転移 ,  表面形態

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ堆積 ,  成長 ,  VO2 ,  薄膜 ,  半導体-絶縁体転移