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J-GLOBAL ID：201502201852845125   整理番号：15A0101902

イオン液体を用いた電気二重層による一次元材料ネットワークの熱電特性の調節

Tuning of the Thermoelectric Properties of One-Dimensional Material Networks by Electric Double Layer Techniques Using Ionic Liquids

著者 (9件)： YANAGI Kazuhiro (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  KANDA Shouhei (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  OSHIMA Yuki (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  KITAMURA Yoshimasa (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWAI Hideki (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Takahiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKAI Yusuke (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  MANIWA Yutaka (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 14  号： 11  ページ： 6437-6442  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度勾配遠心法により分別した1.4nm径の単層カーボンナノチューブ(SWCNT)のネットワーク膜をチャネルとし,ゲート誘電体にイオン液体(TMPA-TFSI)を使用するFET構造において,ゲート電圧によるSWCNT膜チャネル上の電気二重層の制御により,SWCNT膜のSeebeck係数をバンドギャップを横切るP型とN型のすべての領域に変えられることを示した。この結果は一次元ナノ材料を用いた三次元的な熱電素子のFermi準位の制御に途を拓くものである。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *ネットワーク ,  *膜 ,  熱電素子 ,  FET【トランジスタ】 ,  誘電体薄膜 ,  イオン液体 ,  電気二重層 ,  電圧 ,  *輸送係数 ,  ドーピング ,  *制御 ,  ゲート絶縁膜 ,  n型ドーピング ,  p型ドーピング ,  *Seebeck係数
準シソーラス用語： SWCNT ,  ゲート電圧 ,  ゲート誘電体

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： プロピルトリメチルアミニウム・ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミンアニオン

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン液体 ,  電気二重層 ,  一次元材料 ,  熱電特性 ,  調節